中芯國際聯(lián)手Invensas推出DBI技術平臺

2017-11-09 09:10 來源:美通社 作者:Janet

中芯國際集成電路制造有限公司(簡稱“中芯國際”,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)交所股票代碼:981),世界領先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一,中國內地規(guī)模最大、技術最先進的集成電路晶圓制造企業(yè),與Xperi(納斯達克:XPERI)的全資子公司Invensas,今日共同宣布中芯國際位于意大利Avezzano的工廠已成功建立Invensas直接鍵合互聯(lián)(DBI?)技術制造能力。這使得中芯國際能夠支持高性能、混合堆疊背照式(BSI)圖像傳感器以及其他半導體器件日益增長的技術需求,并廣泛應用于智能手機及汽車電子等終端產品制造。此前中芯國際與Invensas已在2017年3月簽署技術轉讓協(xié)議。

中芯國際Avezzano工廠技術研發(fā)部副總裁Robert Bez表示,“通過與Invensas團隊的密切合作,我們能夠快速掌握DBI制造工藝,目前已經(jīng)具備為圖像傳感器、MEMS傳感集線器、電源管理集成電路及更多領域的客戶提供200mm DBI技術的能力?!?

“Invensas的DBI技術能夠為移動通訊、汽車電子及消費電子領域提供高性能圖像傳感器,”中芯國際全球市場部資深副總裁許天燊表示,“擁有此項技術,中芯國際將進一步在全球擴大包括200mm及300mm在內的量產能力。”

“中芯國際優(yōu)秀的制造團隊圓滿完成了將我們的DBI技術融入其大規(guī)模生產環(huán)境的任務?!盜nvensas總裁Craig Mitchell表示,“我們很高興地宣布中芯國際已能夠承接客戶訂單并運用DBI工藝支持BSI圖像傳感器的量產需求。我們希望雙方能夠持續(xù)合作,共同擴大此技術平臺以支持更多的產品和應用?!?

DBI技術是一項低溫混合晶圓鍵合解決方案,能夠在無壓力下鍵合,實現(xiàn)異質晶圓特殊細間距3D電子互聯(lián)。DBI 3D互聯(lián)可以消除對TSV縮小尺寸和降低成本的需求,同時為下一代圖像傳感器提供像素級互聯(lián)技術路線。

中芯國際 Invensas DBI技術平臺

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