SK keyfoundry攜手LB Semicon聯(lián)合開發(fā)Direct RDL,推動半導體封裝技術升級,強化汽車高性能芯片競爭力

2025-07-15 10:33 來源:美通社 作者:電源網(wǎng)

韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry今日宣布,該公司已攜手LB Semicon成功聯(lián)合開發(fā)基于8英寸晶圓的關鍵封裝技術Direct RDL(重布線層),并完成了可靠性測試。此舉標志著新一代半導體封裝技術的重要突破,也大大增強了汽車半導體產(chǎn)品的競爭力。

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RDL指的是構(gòu)建于半導體芯片表面的金屬布線與絕緣層,用于實現(xiàn)芯片與基板之間的電連接。該技術主要應用于WLP(晶圓級封裝)和FOWLP(扇出型晶圓級封裝)流程,有助于增強芯片與基板的互聯(lián)性并降低信號干擾。此次由SK keyfoundry與LB Semicon聯(lián)合開發(fā)的Direct RDL技術,支持高電流容量的功率半導體,性能超越同類技術。該工藝可實現(xiàn)金屬布線厚度高達15微米、布線密度覆蓋芯片面積的70%,不僅適用于移動和工業(yè)領域,更適合汽車應用。尤其值得關注的是,該技術滿足國際汽車半導體質(zhì)量標準 AEC-Q100中的Auto Grade 1等級要求,確保芯片在–40℃至+125℃的嚴苛環(huán)境下穩(wěn)定運行,是目前少數(shù)完全適用于汽車產(chǎn)品的解決方案之一。此外,SK keyfoundry還提供了設計指南(Design Guide)與工藝開發(fā)工具包(PDK),可為客戶提供量身定制的工藝解決方案,助力實現(xiàn)更小芯片尺寸、更低功耗與更具成本效益的封裝。

作為半導體封裝與測試專業(yè)企業(yè),LB Semicon表示,借助SK keyfoundry對半導體工藝的深度理解與先進制造能力,大幅縮短了開發(fā)周期。通過將自身后段制程技術與SK keyfoundry的前段代工技術整合,雙方成功實現(xiàn)了晶圓級Direct RDL的最優(yōu)化結(jié)構(gòu),預計將顯著提升生產(chǎn)效率。

LB Semicon首席執(zhí)行官Namseog Kim表示:"此次Direct RDL的聯(lián)合開發(fā)是強化SK keyfoundry與LB Semicon技術競爭力的重要里程碑。未來我們將繼續(xù)深化合作,共同在高可靠性基礎上,扎根下一代半導體封裝市場。"

SK keyfoundry首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示:"本次與封裝專家LB Semicon的協(xié)作,不僅驗證了我們在半導體制造領域的先進綜合能力,也標志著我們成功將其融入尖端封裝工藝。SK keyfoundry將繼續(xù)攜手LB Semicon,不斷深化合作,致力于成為全球領先、具備高性能與高可靠性能力的優(yōu)質(zhì)代工企業(yè)。"

關于 SK keyfoundry

SK keyfoundry總部位于韓國,是專注于模擬與混合信號領域的8英寸純晶圓代工企業(yè),為消費電子、通信、計算、汽車和工業(yè)等多個領域的半導體企業(yè)提供專業(yè)服務。其廣泛的技術組合與多樣化的工藝節(jié)點使其能夠靈活應對全球客戶不斷演變的需求。獲取更多信息,請訪問https://www.skkeyfoundry.com。

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